时间：2025/9/7 17:52:05
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HM6264BLFP-8LT是一款由HITACHI（现为Renesas）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为8K x 8位，即总共64Kbit的存储空间。该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问的特点，适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。该封装为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB设计中使用。该芯片的工作温度范围通常为工业级（-40°C至+85°C），适用于较为严苛的工业环境。
类型：SRAM
容量：64Kbit（8K x 8位）
电源电压：5V
访问时间：8ns（最大）
封装形式：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装引脚数：28
数据宽度：8位
接口类型：并行
功耗：典型值100mA（待机模式下更低）
HM6264BLFP-8LT采用了高速CMOS工艺，使其在保持低功耗的同时具备出色的读写速度。该芯片支持异步操作，无需时钟信号即可完成数据读写，这使得其接口设计相对简单，适用于多种嵌入式应用场景。此外，该器件支持双向数据总线和独立的地址线，便于与微处理器或微控制器直接连接。
在功耗方面，该SRAM在待机模式下的电流极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。同时，其宽温度范围设计确保其在工业级环境中稳定运行，适用于工业自动化、通信设备、医疗仪器等应用领域。
该芯片的TSOP封装形式具有体积小、重量轻、散热性能好等优点，非常适合现代电子设备对小型化和高密度布线的需求。
HM6264BLFP-8LT广泛应用于需要中等容量高速存储器的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备、数据采集系统、通信模块、智能卡读写器、便携式仪器仪表等。由于其高速度和低功耗的特性，它也常被用于需要频繁读写操作的场合，如缓存存储器、图形缓冲区以及实时控制系统的数据暂存。此外，该芯片也适用于与微控制器或DSP配合使用，作为外部扩展存储器，提升系统处理能力。
IS62LV6416-8TLI、CY62148EVLL-8ZS、AS6C6264-8TLN-GTR、IDT7164S25PFG、MCM6264CFLZ-85
