容量：64K位（8K x 8）
　　组织结构：8K地址 x 8位数据
　　访问时间：12ns
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装形式：52引脚塑料扁平封装（FP）
　　封装类型：表面贴装（SOP）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　最大工作电流：约150mA（典型值）
　　待机电流：小于10mA
　　读写操作：异步SRAM，支持异步读写操作
　　控制信号：片选（CS）、写使能（WE）、输出使能（OE）

HM6264BLFP-12T具备多个显著特性。首先，其高速访问时间（12ns）使其能够满足高速数据存取的需求，适用于需要快速响应的实时系统。其次，采用CMOS工艺制造，具有低功耗的特点，在待机状态下功耗极低，适合电池供电或对功耗敏感的应用。此外，该芯片具有TTL兼容的输入/输出电平，便于与多种微处理器和控制器进行接口连接。其异步SRAM架构无需时钟信号，简化了系统设计，降低了复杂度。最后，HM6264BLFP-12T具有高可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作，适用于恶劣的工业环境。

HM6264BLFP-12T广泛应用于多种工业和通信设备中。例如，在嵌入式控制系统中，它可以作为高速缓存或临时数据存储器，用于存储程序代码或运行时数据。在工业自动化设备中，该SRAM芯片可用于数据缓冲和状态存储。此外，它还适用于通信模块、网络设备和测量仪器等需要高速、低功耗存储器的场合。由于其宽温工作范围和高可靠性，也适合用于户外或工业环境中的设备。

HM6264BLFP-10T, HM6264BLSP-12T, CY6264BVLL-12ZSXI, IDT7164SA12B, AS6C6264-12TCN