型号：K9K8GO8U0A-PCBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：8GB (64Gb)
　　工艺技术：3D V-NAND
　　电压范围：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-25°C ~ +85°C
　　存储温度：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：ONFI 2.3兼容异步接口
　　封装类型：BGA
　　页面大小：16KB + 896B OOB
　　块大小：256 Pages/Block
　　每芯片Plane数量：2
　　读取延迟：约25μs
　　编程时间：约600μs/16KB Page
　　擦除时间：约3ms/Block
　　耐久性：10,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　可靠性：支持ECC纠错机制
　　掉电保护：支持意外断电数据保护功能

K9K8GO8U0A-PCBO采用三星领先的3D垂直NAND（V-NAND）技术，通过将存储单元垂直堆叠于硅基板之上，显著提升了存储密度并降低了单位比特的成本。这种结构不仅克服了传统平面NAND在微缩工艺上的物理极限，还大幅改善了器件的电荷泄漏问题，从而提高了数据保持能力和耐久性。相较于传统的2D NAND，V-NAND具有更低的功耗、更高的写入速度和更强的抗干扰能力。该芯片支持双平面操作模式，允许同时对两个独立的存储平面进行读取、编程或擦除操作，有效提升整体吞吐性能。例如，在执行页编程时，系统可以在一个平面写入数据的同时，在另一个平面准备下一个操作，实现流水线式处理，极大增强了连续数据传输效率。
　　该器件内置智能管理机制，包括动态和静态磨损均衡（Wear Leveling），确保所有存储块被均匀使用，防止某些区块因过度擦写而提前失效。同时集成强大的硬件ECC引擎，能够检测并纠正多位错误，保障数据完整性，尤其适用于工业级或严苛环境下的长期运行。此外，K9K8GO8U0A-PCBO支持坏块管理功能，出厂时已标记初始坏块，并在生命周期内持续监控新产生的不可靠区块，自动映射到备用块，确保用户访问始终指向可用区域。其异步ONFI 2.3接口提供了灵活的控制时序配置，便于与多种主控处理器对接，适用于广泛的嵌入式平台。
　　在电源管理方面，该芯片设计有低功耗待机模式和快速唤醒机制，能够在空闲状态下降低电流消耗，延长电池供电设备的续航时间。同时具备掉电保护（Power-loss Protection）特性，在突发断电情况下可安全保存正在进行的操作状态，避免元数据损坏或文件系统崩溃。封装上采用小型化BGA设计，节省PCB空间，提高组装良率，并具备优良的热传导性能，有助于在高负载下维持稳定工作温度。综合来看，K9K8GO8U0A-PCBO是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的现代NAND闪存解决方案，特别适合用于中高端移动终端和嵌入式存储模块。

K9K8GO8U0A-PCBO广泛应用于各类需要大容量、高速度非易失性存储的电子设备中。首先，在智能手机和平板电脑领域，该芯片常被用作操作系统、应用程序及用户数据的主存储介质，配合eMMC或直接由SoC控制器管理，提供流畅的多任务处理体验。其次，在嵌入式系统如工业控制设备、医疗仪器和POS终端中，其高可靠性和宽温工作能力使其能在复杂电磁环境或极端温度条件下稳定运行。此外，该芯片也常见于车载信息娱乐系统（IVI）和行车记录仪中，用于存储导航地图、多媒体文件及视频流数据，满足汽车级应用对长期数据保存和振动耐受性的要求。
　　在消费类电子产品方面，K9K8GO8U0A-PCBO可用于数字电视、机顶盒、智能音箱等设备，作为固件存储和缓存空间，提升系统响应速度。同时，由于其支持高耐久性和频繁写入特性，也可用于轻量级固态存储模组，如USB SSD或小型M.2模块，适用于便携式数据备份和边缘计算设备。在物联网（IoT）网关和智能监控摄像头中，该芯片能够高效存储传感器日志、图像帧和事件触发记录，配合本地AI推理单元实现边缘存储智能化。
　　此外，该器件还可作为FPGA或DSP系统的辅助存储器，用于加载配置文件、算法参数或中间运算结果。在测试测量仪器中，可用于长时间采集数据的本地缓存，确保即使在网络中断时也不会丢失关键信息。综上所述，K9K8GO8U0A-PCBO凭借其优异的性能指标和稳定的品质表现，已成为众多中高端电子产品中不可或缺的核心存储组件之一。

MT29F64G08CBABA