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HM621100AJP35 发布时间 时间:2025/9/7 1:13:33 查看 阅读:6

HM621100AJP35 是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由Hitachi(现为Renesas Electronics)制造。该芯片采用CMOS技术,具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点,适用于需要高性能存储器的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等领域。

参数

容量:128K x 8位
  电源电压:5V ± 10%
  访问时间:35ns
  封装类型:44引脚TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:标准TSOP
  输入/输出接口:CMOS兼容
  最大工作频率:约28MHz
  功耗(典型值):约150mA

特性

HM621100AJP35 是一款静态RAM芯片,具有高速访问能力,访问时间仅为35纳秒,适用于对存储器响应时间要求较高的应用环境。该芯片采用CMOS工艺制造,能够在低功耗状态下维持数据完整性,即使在频繁读写操作中也能保持稳定运行。其电源电压范围为5V ± 10%,在电源波动较大的工业环境中依然具备良好的适应性。该芯片采用44引脚TSOP封装,便于PCB布局和安装,同时具备良好的散热性能。
  HM621100AJP35 支持异步操作,无需时钟信号控制,简化了系统设计。其高可靠性和宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于工业级和车载级应用,如嵌入式控制器、数据采集设备和网络通信模块。此外,该芯片具有较强的抗干扰能力和良好的信号完整性,适用于电磁干扰(EMI)较为复杂的环境中。

应用

HM621100AJP35 主要应用于需要高速静态存储器的工业控制系统、嵌入式设备、通信模块、测试仪器和汽车电子系统。其高速访问时间和低功耗特性使其成为高性能微控制器系统中的理想选择,常用于缓存数据、临时存储程序变量或作为外部存储器扩展。由于其工业级温度范围和稳定性,该芯片也广泛用于自动化设备、智能仪表和工业计算机等场景。

替代型号

CY62148EAV35ZSXI, IS62WV10248BLL-35B4I, AS6C1008-35BCN1

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