HM6116L4 是一款由 Hitachi(现为 Renesas)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问特性。HM6116L4 是一款常用的2K x 8位SRAM,广泛应用于各种嵌入式系统、工业控制设备和老式计算机系统中。由于其兼容性强、稳定性高,至今仍被一些需要静态存储器的系统所使用。
类型:静态随机存取存储器(SRAM)
容量:2K x 8位(共16K位)
电源电压:5V
访问时间:55ns(HM6116L4-55)、70ns(HM6116L4-70)、100ns(HM6116L4-100)
封装形式:28引脚DIP、SOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
输入/输出电平:TTL兼容
芯片使能(CE):低电平有效
输出使能(OE):低电平有效
写使能(WE):低电平有效
功耗(典型值):约120mA(工作模式)、<10μA(待机模式)
HM6116L4 是一款基于CMOS工艺的高速SRAM芯片,具有出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括高速访问时间(最低可达55纳秒),适用于需要快速数据存取的场合。该芯片支持标准的TTL输入电平,能够与多种微处理器和控制器无缝连接。其28引脚的封装形式(DIP或SOP)便于焊接和安装,尤其适合在原型设计和工业控制应用中使用。
HM6116L4 的工作电压为标准5V,确保与大多数老式系统和嵌入式平台兼容。芯片具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的使用寿命并减少发热。其使能信号(CE、OE、WE)设计合理,允许用户通过控制信号线灵活管理读写操作,提高系统效率。
此外,HM6116L4 具有宽泛的工作温度范围(-40°C至+85°C),可在恶劣工业环境中稳定运行。这种工业级耐受能力使其成为工业控制、通信设备和测量仪器等应用的理想选择。
HM6116L4 广泛应用于需要高速数据存储的嵌入式系统、工业控制板、老式计算机扩展卡、数据采集系统以及通信设备中。由于其2K x 8位的存储容量和高速特性,它常被用于缓存数据、临时存储程序或作为处理器的外部RAM使用。此外,HM6116L4 也常见于实验开发板、电子玩具、自动化设备以及测试测量仪器中,作为数据缓冲或临时存储单元。
CY62167E、IS61LV25616A、AS6C6216、IDT71V016、MSP48LC16A2B4-6A