时间：2025/7/2 17:06:53
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RF15N2R7B500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效射频功率晶体管，广泛应用于射频功率放大器、无线通信系统以及雷达设备中。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 工艺制造，具有高功率密度、高效率和宽带宽等特性，适用于 L 波段至 S 波段的高频应用。
其设计目标是提供卓越的线性度与增益性能，同时支持高工作电压，从而显著降低系统的热管理和尺寸要求。
型号：RF15N2R7B500CT
工作频率范围：1.8 GHz 至 3.5 GHz
输出功率（典型值）：500 W
增益（典型值）：15 dB
效率（典型值）：70%
最大漏源电压：100 V
漏极电流（连续波）：30 A
封装形式：Flangeless Plastic Package
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
RF15N2R7B500CT 具备出色的射频性能，包括高功率输出和高效率，这使得它成为需要高性能功率放大的理想选择。
该器件采用增强型氮化镓技术，相比传统的硅基晶体管，能够提供更高的功率密度和更小的体积。
此外，它还具备良好的线性度和低失真特性，确保在复杂的调制信号环境下仍能保持稳定的性能表现。
为了提高可靠性，该器件经过严格的质量控制流程，并在各种极端条件下进行了测试，以确保其能够在严苛的工作环境中长时间运行。
RF15N2R7B500CT 广泛应用于多种高频射频领域，包括：
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 雷达系统中的发射机部分，例如气象雷达、空中交通管制雷达。
3. 卫星通信地面站设备。
4. 测试测量仪器，如信号发生器和功率计。
5. 军用电子对抗系统和战术无线电设备。
RF15N2R7B400CT
RF15N2R7B600CT
