HM6116L-70是一款静态随机存取存储器(SRAM),具有64K x 8位的存储容量。该芯片采用CMOS技术制造,能够以低功耗运行,同时提供快速的访问速度。它广泛应用于需要高速数据读写和可靠存储的应用场景中。
HM6116L-70支持标准的同步和异步操作模式,确保其兼容性广泛。此外,该芯片具有高可靠性、抗干扰能力强的特点,适合工业级和商业级应用。
存储容量:64K x 8位
访问时间:70ns
电源电压:+5V
工作温度范围:0°C 至 +70°C
封装形式:DIP28/PLCC28
数据保持时间:无限
静态电流:30mA(典型值)
动态电流:100mA(典型值)
1. 高速数据访问:70ns的访问时间使其适用于对速度要求较高的系统。
2. CMOS技术:降低功耗,提升能效。
3. 简单的控制接口:仅需WE#(写使能)、OE#(输出使能)和CE#(片选信号)即可完成基本操作。
4. 可靠的数据保持:在断电情况下,数据不会丢失,只要供电恢复即可重新使用。
5. 广泛的工作温度范围:能够在0°C至+70°C环境下稳定运行,适应多种应用场景。
6. 支持全静态操作:无需刷新即可长期保存数据。
1. 嵌入式系统:
如微控制器、DSP等需要外部高速缓存的场合。
2. 工业自动化:
用于实时数据采集与处理。
3. 图形显示:
作为帧缓冲存储器,为显示器提供快速的数据传输。
4. 通信设备:
例如路由器、交换机中的包缓冲区。
5. 医疗设备:
用于图像处理、数据记录等功能模块。
6. 消费类电子产品:
如游戏机、数码相机等需要快速数据交互的场景。
HM6116LP-70
HM6116LV-70
CY6264BV30
AS6C6264