FDG6342L-NL是一款双通道N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由ON Semiconductor生产。该器件适用于多种电源管理应用,如负载开关、DC-DC转换器和电机控制。FDG6342L-NL采用小型DFN5封装,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,非常适合高密度和高性能电子系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):4.1A(每个通道)
导通电阻(RDS(on)):28mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装:DFN5
FDG6342L-NL是一款高性能MOSFET,其双通道设计允许在需要多个MOSFET的电路中节省空间。该器件的低导通电阻可减少功率损耗并提高能效,同时其快速开关特性有助于降低开关损耗。该MOSFET具有高热稳定性和优良的可靠性,适用于严苛的工作环境。此外,DFN5封装提供了良好的散热性能,使器件能够在高电流下稳定工作。FDG6342L-NL还具备低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),有助于提高开关速度并减少驱动损耗。这些特性使该MOSFET在电源管理和负载开关应用中表现出色。
FDG6342L-NL广泛应用于便携式电子设备、电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及工业自动化设备。其紧凑的DFN5封装使其特别适合空间受限的设计。
FDG6342L, Si2302DS, IRF7309, FDS6675, AO4406