时间：2025/8/24 9:55:01
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FDG6342L-NL是一款双通道N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor生产。该器件适用于多种电源管理应用，如负载开关、DC-DC转换器和电机控制。FDG6342L-NL采用小型DFN5封装，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，非常适合高密度和高性能电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4.1A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：DFN5
FDG6342L-NL是一款高性能MOSFET，其双通道设计允许在需要多个MOSFET的电路中节省空间。该器件的低导通电阻可减少功率损耗并提高能效，同时其快速开关特性有助于降低开关损耗。该MOSFET具有高热稳定性和优良的可靠性，适用于严苛的工作环境。此外，DFN5封装提供了良好的散热性能，使器件能够在高电流下稳定工作。FDG6342L-NL还具备低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），有助于提高开关速度并减少驱动损耗。这些特性使该MOSFET在电源管理和负载开关应用中表现出色。
FDG6342L-NL广泛应用于便携式电子设备、电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及工业自动化设备。其紧凑的DFN5封装使其特别适合空间受限的设计。
FDG6342L, Si2302DS, IRF7309, FDS6675, AO4406
