容量：256K x 4位
　　电压：5V
　　访问时间：7ns（纳秒）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据宽度：4位
　　组织结构：256K地址 x 4数据位
　　刷新周期：64ms

HM534253BT-7是一款高性能的DRAM芯片，具有良好的稳定性和可靠性。其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计以及适用于工业环境的宽温工作范围。该芯片采用TSOP封装，厚度较薄，有利于提高PCB布局的紧凑性。此外，其5V供电设计兼容性好，适合用于多种传统和工业控制系统。该芯片的刷新周期为64ms，确保数据在断电前能够被有效保存。此外，它还具备良好的抗干扰能力和较高的数据传输稳定性，适用于需要长期运行的设备。由于其为FPM DRAM，访问速度较现代DRAM慢，但在一些老旧系统中仍具有很高的兼容性和实用性。
　　在使用方面，该芯片支持标准的DRAM控制信号，如行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE）等，便于系统集成。其地址和数据总线的分离设计也使得控制逻辑更为清晰。HM534253BT-7适用于需要中等容量内存的场景，如工业控制器、通信设备和嵌入式系统等。

HM534253BT-7主要应用于需要中等容量DRAM的工业设备、嵌入式系统和老旧计算机系统。其高速访问时间和宽温工作范围使其适用于工业控制器、数据采集系统、通信模块以及老式个人计算机或工作站的内存扩展。此外，该芯片也可用于某些测试设备、自动化系统和监控设备中，作为临时数据存储单元。由于其良好的兼容性和稳定性，它也常用于需要长期运行的设备中。

TC55V256AFT-70, CY62V256EDT-70B, IS61LV256AED-7