容量：256K x 16位
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：10ns（最大）
　　封装形式：179-TQFP
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　功耗：典型工作电流约10mA（待机模式下低至10μA）
　　接口类型：并行异步接口
　　封装尺寸：24mm x 24mm

HM5221605CTT17S 采用先进的CMOS技术制造，具有出色的稳定性和抗干扰能力。该芯片的高速访问时间为10ns，可满足高速数据处理的需求。其低功耗设计在待机模式下仅消耗极低电流，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。芯片支持异步读写操作，具备广泛的兼容性，适用于多种处理器和控制器接口。
　　此外，该器件具备宽电压工作范围（2.3V至3.6V），可在多种电源条件下稳定运行，适用于不同的应用场景。179-TQFP封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型PCB设计中使用。HM5221605CTT17S 还具备自动省电模式，能够在没有访问操作时自动进入低功耗状态，从而进一步降低系统功耗。
　　这款SRAM芯片在设计上充分考虑了可靠性，具备良好的抗静电和抗干扰能力，符合工业级标准。其广泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于严苛的工业环境。

HM5221605CTT17S 主要应用于需要高速、低功耗存储的场景，如嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信模块、智能卡读写器、图像处理设备、医疗监测仪器、测试测量设备以及消费类电子产品中的缓存存储。该芯片适用于需要大容量SRAM缓冲的处理器系统，如DSP、FPGA和微控制器系统。

IS61LV25616-10T, CY62148EVLL, IDT71V416SA, ADF2S256