HM5216165TT10 时间：2025/9/7 7:50:11 阅读：14

HM5216165TT10 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高速SRAM存储器，常用于需要快速数据访问的电子设备中。其容量为16K x 16位，即总共256Kbit的存储空间。该型号采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速度的特点，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用领域。封装形式为52引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适合高密度电路板设计。

参数

容量：256Kbit
　　组织结构：16K x 16位
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：52引脚TSOP
　　最大工作频率：100MHz
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　数据保持电压：3.5V
　　待机电流：10mA（典型值）

特性

HM5216165TT10 是一款高性能SRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括低功耗设计，即使在高速运行时也能保持较低的能耗，这使其非常适合嵌入式系统和便携式设备。此外，该芯片的访问时间仅为10ns，支持高达100MHz的工作频率，确保了快速的数据读写能力，满足实时处理的需求。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，可在恶劣环境下稳定运行。52引脚TSOP封装不仅节省空间，还提高了电路板布局的灵活性。HM5216165TT10 采用CMOS工艺制造，增强了抗干扰能力和稳定性，同时具备数据保持功能，在低电压状态下仍能维持数据不丢失。
　　该芯片还具备TTL兼容输入/输出电平，方便与多种逻辑电路接口连接。在待机模式下，芯片的电流消耗仅为10mA，有助于延长电池供电设备的使用时间。其广泛应用于工业控制、网络设备、通信模块和嵌入式系统等领域。

应用

HM5216165TT10 SRAM芯片适用于多种高性能存储需求的场合。其主要应用包括工业自动化控制系统、网络交换设备、路由器和通信模块、嵌入式处理器系统以及需要高速缓存的电子设备。由于其高速存取和低功耗的特性，它也常用于需要临时存储数据和程序的场景，如图像处理、数据缓冲和高速缓存存储等。此外，该芯片还可用于测试设备、医疗仪器和汽车电子系统等对稳定性和可靠性有较高要求的应用场景。