时间：2025/9/7 14:22:40
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HM51W4400BTT-7是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高速DRAM产品系列，通常用于需要较大内存容量和高速数据处理的电子设备中，例如计算机、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备等。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适用于多种电子应用场合。
容量：4MB
组织结构：1M x 4
封装类型：TSOP
工作电压：3.3V
访问时间：7ns
最大工作频率：143MHz
数据宽度：4位
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
刷新方式：自动刷新
接口类型：异步DRAM接口
HM51W4400BTT-7作为一款高速DRAM芯片，具备多项优异特性。首先，其访问时间为7ns，意味着芯片能够快速响应读写请求，从而提高整体系统性能。其次，该芯片支持自动刷新功能，有效减少了外部控制器的负担，延长了数据的保持时间。此外，其工作电压为3.3V，属于低电压设计，有助于降低功耗和热量产生，适用于对能效要求较高的设备。该芯片的封装形式为TSOP，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在较为严苛的环境中稳定工作。最后，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种工业控制设备和嵌入式系统。
HM51W4400BTT-7广泛应用于需要高性能和稳定存储的电子设备中。典型应用包括计算机内存模块、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备以及消费类电子产品。由于其高速性和低功耗特性，该芯片特别适合用于需要快速数据处理能力的场合，例如图形处理、视频编码解码、实时数据采集与处理等应用场景。
TC51V4400BFT-70, HY51W4400BTT-7, CY7C14400BTT-70
