时间：2025/9/7 6:02:01
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HM51W4260CLTT-7是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，专为高性能系统应用设计。这款SRAM芯片具有低功耗、高速存取和高可靠性等特点，广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制设备以及嵌入式系统等领域。该芯片采用CMOS工艺制造，提供了较大的存储容量和稳定的性能表现。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在高密度PCB设计中使用。
容量：256K x 16位
电压范围：3.3V ± 0.3V
访问时间（tRC）：7ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：TSOP-II
引脚数：54
最大工作频率：143MHz
数据保持电压：2V
待机电流：最大10mA
读取电流：典型值120mA
HM51W4260CLTT-7是一款高性能的高速SRAM芯片，其核心优势在于其7ns的访问时间，使得它适用于对速度要求较高的系统。该芯片支持异步操作，具备低功耗待机模式，非常适合需要节能设计的应用场景。其采用的TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能，增强了在高密度电路板上的适应能力。
在功能方面，该SRAM芯片通过独立的地址和数据接口实现快速的数据读写，同时具备高速地址解码功能，确保最小的存取延迟。其内部电路设计优化了功耗和噪声控制，使其在高频工作下仍能保持稳定性能。
此外，HM51W4260CLTT-7具备宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），能够适应各种工业环境，包括高温和低温条件下的应用。这种高稳定性使其成为工业控制、通信设备以及网络路由器等设备中的理想选择。
该芯片主要应用于对数据存储速度要求较高的系统中，例如通信设备中的缓存存储器、工业控制系统的实时数据处理单元、高性能嵌入式系统的临时存储器，以及网络设备中的高速缓冲存储器模块。此外，它也适用于测试设备、医疗电子设备和航空航天系统等对可靠性要求较高的领域。
CY7C1361BV33-7B, IS61LV25616-7TF, IDT71V424S10PF, AS7C256A-7SIN
