时间：2025/9/7 9:45:54
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HM51W18165LJ-6是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用CMOS技术制造，具有低功耗和高速存取的特性。该芯片为异步SRAM，适用于需要快速数据存取和高稳定性的应用场合。HM51W18165LJ-6采用54引脚TSOP封装，广泛用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中。
容量：256K x 16位
组织方式：256K地址 x 16数据位
电源电压：3.3V（±10%）
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：工业级 -40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
读取电流（最大）：200mA
待机电流（最大）：10mA
HM51W18165LJ-6 SRAM芯片具备高速访问能力，其访问时间仅为5.4ns，使得其在需要快速响应的系统中表现出色。该芯片采用CMOS技术，能够在高速运行的同时保持较低的功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低，适合对功耗敏感的应用场景。此外，HM51W18165LJ-6支持异步操作，无需时钟信号控制，简化了电路设计并提高了灵活性。该芯片具有较高的可靠性和稳定性，适用于各种恶劣工作环境，符合工业级温度要求。其TSOP封装形式有助于减小PCB空间占用，提高系统集成度。
该芯片广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的系统中，如嵌入式处理器系统、通信模块、网络设备、工业自动化控制器以及测试测量设备等。由于其异步接口的灵活性，也常用于与FPGA、DSP或微控制器配合，作为高速本地存储器使用。此外，HM51W18165LJ-6也可用于图像处理、实时数据采集等对存取速度有较高要求的场合。
CY7C1380C-5VC
IS61WV25616BLL-6TF
