容量：4MB（兆位）
　　组织结构：1M x 4
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：7ns
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　最大时钟频率：143MHz
　　数据输入/输出方式：公共数据输入输出

HM51W17400TS-7是一款高速DRAM芯片，其主要特点包括高性能和低功耗设计。该芯片的工作电压为3.3V，确保了较低的功耗水平，同时仍然能够提供稳定的工作性能。访问时间为7ns，表明该芯片具备较快的数据读写速度，适用于对响应时间要求较高的应用场合。
　　该芯片的存储容量为4MB，组织结构为1M x 4，意味着其存储单元以1兆个地址、每个地址4位的形式排列，这种设计有助于提高数据处理效率。此外，芯片的最大时钟频率达到143MHz，进一步提升了其数据传输能力。
　　采用TSOP封装技术，使HM51W17400TS-7具有较小的体积和良好的散热性能，非常适合在空间受限的应用环境中使用，例如便携式设备、通信设备和工业控制设备等。其工作温度范围为0°C至70°C，覆盖了大多数工业环境的需求，确保在不同条件下都能稳定运行。
　　此外，该芯片的数据输入/输出采用公共数据输入输出方式，简化了电路设计，降低了系统复杂性。这种设计方式有助于提高系统整体的可靠性和稳定性，同时减少了外围电路的组件数量。

HM51W17400TS-7广泛应用于需要高速缓存和大容量存储的电子设备中。典型应用包括网络设备（如路由器和交换机）、工业控制设备、嵌入式系统、通信设备以及需要高性能存储的消费类电子产品。由于其高速度和低功耗的特性，该芯片也常用于需要实时数据处理的场合，例如图像处理、音频流传输和高速数据采集系统。
　　在网络设备中，HM51W17400TS-7可用于缓存数据包，确保设备在高负载下仍能保持快速响应能力。在工业控制领域，该芯片可作为主存储器或辅助存储器，用于存储程序代码和临时数据。对于嵌入式系统和便携式设备，其低功耗设计和紧凑封装使其成为理想的存储解决方案。
　　此外，该芯片还适用于测试设备和测量仪器，这些设备通常需要高速数据存储和快速访问能力，以确保准确性和实时性。由于其稳定的工作温度范围和可靠性，该芯片也适用于恶劣环境下的应用。

HM51W17400TSP-7, HM51W17400TP-7