时间：2025/9/6 19:33:45
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HM51W17400LTS6是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步DRAM类别，具有较高的存储密度和稳定的性能，适用于需要大容量内存的嵌入式系统和工业控制设备。该器件采用SOJ（Small Outline J-Lead）封装，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
类型：DRAM
容量：4Mbit（256K x 16）
电压：5V
访问时间：55ns / 70ns（根据具体后缀）
封装类型：SOJ
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
HM51W17400LTS6是一款高性能的异步DRAM芯片，具有良好的兼容性和稳定性。其256K x 16位的结构使其适用于需要较大存储容量的场合。该芯片的访问时间分别为55ns或70ns，支持高速数据存取。采用5V供电设计，兼容TTL电平，便于与多种主控芯片接口连接。此外，该芯片具有低功耗特性，在待机模式下功耗显著降低，适用于对功耗有一定要求的系统设计。SOJ封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，适合工业环境下的长期运行。
该芯片还具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。其地址和数据线独立控制，便于实现灵活的内存管理。此外，该芯片支持页面模式访问，提高数据读写效率。内置刷新电路确保数据在不掉电的情况下保持完整。
该芯片广泛应用于工业控制设备、通信设备、测试仪器、医疗设备等嵌入式系统中，作为临时数据存储器使用。在需要较高数据吞吐量和稳定存储性能的场景中表现优异，如图像处理模块、数据缓冲器、嵌入式控制器等。
IS61WV102416BLL-10B，CY7C1041CV33-10ZSXC，IDT71V416S10PFG
