时间：2025/9/14 11:30:52
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PH4840S,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效能功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。PH4840S 采用 LFPAK56 封装，适用于需要高可靠性和小尺寸封装的电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：40V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：180A（@25°C）
功耗 Pd：210W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56（双面散热）
导通电阻 Rds(on)：0.95mΩ（@Vgs=10V）
PH4840S,115 具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其 LFPAK56 封装采用双面散热技术，能够有效提升热性能，使器件在高电流工作状态下保持较低的温升。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定工作，增强系统的可靠性。
该 MOSFET还具备快速开关特性，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极氧化层具备高可靠性，可承受高达 ±20V 的栅源电压，提供良好的抗干扰能力。LFPAK56 封装还具有优异的机械稳定性，适用于汽车电子、工业自动化等对可靠性要求较高的应用场景。
此外，PH4840S,115 符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代环保型电子产品的设计需求。
PH4840S,115 广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率管理系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、电源分配系统以及汽车电子中的功率控制模块。由于其双面散热的 LFPAK56 封装，特别适合空间受限但需要高电流承载能力的设计，例如在服务器电源、通信设备、电动工具和新能源汽车相关系统中。
SiSSPM40R10P3TO, Infineon BSC180N10LS5AGUA
