HM51W16160ATT6 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的16位宽、16MB容量的DRAM芯片。该芯片采用异步工作模式,适用于需要中等容量内存的嵌入式系统和工业控制设备。HM51W16160ATT6的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),具有低功耗、高稳定性和良好的数据保持能力,适用于对内存速度和容量要求不极端但需要可靠性的应用场景。
容量:16MB
数据宽度:16位
封装类型:TSOP
电源电压:3.3V
访问时间:55ns/70ns/85ns(不同版本)
工作温度范围:-40°C至+85°C
接口类型:异步
刷新方式:自动刷新/自刷新
存储结构:1M x16
HM51W16160ATT6芯片具有低功耗设计,适用于电池供电或便携式设备。其异步接口设计使得其控制时序较为简单,易于与微控制器或嵌入式处理器连接。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在断电时的保持能力,同时降低系统功耗。此外,HM51W16160ATT6的TSOP封装形式具有较小的体积,适合在空间受限的嵌入式系统中使用。其宽温工作范围(-40°C至+85°C)使其能够适应各种恶劣工业环境,提高系统稳定性。
在电气特性方面,HM51W16160ATT6的工作电压为3.3V,支持多种访问时间版本(55ns、70ns、85ns),可根据系统需求选择不同速度等级的芯片以平衡性能与成本。该芯片的1M x16存储结构使其能够提供16MB的总存储容量,适用于图像缓冲、程序存储、数据缓存等场景。其异步控制模式允许与各种不同时钟频率的控制器配合使用,提高了设计的灵活性。
HM51W16160ATT6广泛应用于工业控制设备、医疗仪器、通信模块、嵌入式系统以及消费类电子产品中的临时数据存储和缓存需求。例如,在工业自动化设备中,该芯片可用于缓存传感器数据或程序代码;在视频采集设备中,可用于图像帧缓冲;在嵌入式控制系统中,可作为主处理器的外部存储扩展。由于其宽温特性和低功耗设计,也适合用于户外设备或远程监测系统等环境较为复杂的场景。
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