类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：5A
　　功耗（PD）：40W
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.25Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-66

3N189 MOSFET具备多项优良特性，适用于多种功率电子系统。其N沟道结构支持高效的电流控制，适用于开关和线性放大应用。
　　该器件的最大漏源电压为100V，允许在较高的电压环境下稳定运行。最大连续漏极电流为5A，可支持中等功率的负载控制，如电机驱动、继电器控制、电源转换等。
　　导通电阻约为0.25Ω，较低的RDS(on)值有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少散热需求。同时，40W的额定功耗使得3N189能够在相对较高的功率下工作，具备一定的过载能力。
　　栅极驱动电压范围为±20V，确保了在多种驱动电路中的兼容性，并提高了开关速度和稳定性。其TO-66金属封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度和环境适应能力。
　　3N189的温度范围覆盖-55°C至+150°C，适合在各种工业环境和恶劣条件下使用，表现出良好的热稳定性与长期可靠性。

3N189广泛应用于多个电子系统领域，尤其是在需要中高功率控制的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、直流电机控制、逆变器、电池管理系统、负载开关、功率放大器以及工业自动化控制系统。
　　在电源管理领域，3N189可用于构建DC-DC转换器或稳压电路，实现高效的能量转换。在电机控制方面，该MOSFET可以作为H桥中的开关元件，用于调节电机的转速和方向。
　　此外，3N189还可用于构建电子负载或功率调节器，适用于测试设备和电源模块。其高可靠性和良好的散热性能也使其成为工业控制和自动化设备中的常用元件。

IRF540, 2N6756, BUZ11, FQP50N06