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HM514800AZ8 发布时间 时间:2025/9/7 13:13:44 查看 阅读:6

HM514800AZ8是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款芯片属于早期的DRAM产品系列,广泛用于上世纪90年代至2000年代初期的计算机系统和嵌入式设备中。HM514800AZ8具备一定的存储容量和稳定性,适用于对内存性能要求不高的系统。该封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适合于主板和嵌入式系统的应用。

参数

容量:4MB
  组织方式:1M x 4
  封装类型:TSOP
  工作电压:3.3V
  访问时间:80ns
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  引脚数量:50
  数据宽度:4位
  刷新周期:64ms

特性

HM514800AZ8是一款标准的DRAM芯片,具备良好的兼容性和稳定性,适合用于早期的计算机主板和嵌入式系统中。
  该芯片的访问时间为80ns,能够满足当时主流处理器的内存访问需求。
  采用TSOP封装,具有较低的封装高度,适合薄型设备的应用。
  其工作电压为3.3V,功耗相对较低,有助于减少设备发热。
  支持自动刷新和自刷新功能,能够有效保持数据完整性,减少外部控制器的负担。
  该芯片的工业级温度范围(0°C 至 70°C)使其适用于多种环境条件下的稳定运行。
  其数据宽度为4位,通常需要多个芯片组合使用以满足更宽的数据总线需求,例如组成16位或32位的内存模块。
  该DRAM芯片的刷新周期为64ms,确保了数据在断电前的可靠保持。

应用

HM514800AZ8广泛应用于早期的个人计算机、嵌入式系统、工业控制设备以及消费类电子产品中,如打印机、扫描仪、通信设备等。
  该芯片也常见于老款的游戏机、图像处理设备以及早期的网络设备中,用于提供临时数据存储和缓存功能。
  由于其较低的成本和稳定的性能,该芯片在一些需要低功耗和中等性能内存的系统中仍然有应用价值。

替代型号

TC51V4800AZ8CE4, KM48V5100AZ8T

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