容量：1M x 4位
　　电压：5V
　　封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
　　引脚数：28
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　访问时间：55ns/70ns/100ns（根据后缀不同）
　　刷新周期：64ms
　　数据保持时间：16ms

HM514410BS7 具备良好的存储性能和稳定性，其采用的SOJ封装形式使得它在PCB板上占用的空间较小，适用于紧凑型电子设备的设计。芯片内置刷新电路，支持自动刷新和隐藏刷新模式，降低了系统设计的复杂性。此外，它的工作电压为标准的5V，与当时大多数逻辑电路和处理器的电压兼容，便于系统集成。
　　该芯片的访问时间分别为55ns、70ns和100ns，用户可以根据具体的应用场景选择合适的型号。HM514410BS7 的存储容量为1M x 4位，适合用于需要中等存储容量的系统中，如个人电脑、工业控制设备、通信设备等。
　　在数据保持方面，HM514410BS7 在标准工作条件下可以保持数据至少16ms，确保了在刷新周期之间的数据完整性。此外，该芯片的运行温度范围为0°C至70°C，符合商业级应用的标准，适用于大多数非极端环境下的电子产品。

HM514410BS7 常用于早期的个人计算机、工业控制系统、通信设备以及嵌入式系统中，作为主存储器或缓存存储器使用。在个人电脑中，该芯片可以与其他DRAM芯片组合使用，以达到所需的内存容量。在工业控制设备中，HM514410BS7 可用于存储程序、数据缓存以及临时数据存储，确保系统运行的稳定性和高效性。此外，该芯片也广泛应用于通信设备中，如路由器、交换机等，用于处理和缓存高速传输的数据流。由于其紧凑的封装形式和较低的功耗，HM514410BS7 也适用于一些对空间和功耗有一定要求的嵌入式系统，如手持设备和便携式仪器。

TC514410BZ-70, KM414C4100B-70, CY7C14410B-70