容量：1M x 4位
　　电源电压：5V
　　访问时间：85ns / 100ns（根据后缀不同）
　　封装类型：SOJ（Small Outline J-lead）
　　引脚数：20
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大工作频率：约100MHz（根据访问时间推算）
　　数据保持时间：自动刷新模式下最小16ms
　　封装尺寸：约18.4mm x 7.5mm

HM514402CZ8是一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有高速访问能力和低功耗特性。该芯片采用CMOS工艺制造，适用于需要快速数据访问和低功耗设计的系统，如便携式设备、通信模块和小型控制器。其高速访问时间使得它能够在高频工作环境下稳定运行，从而提升整体系统性能。此外，该芯片具有宽温度范围支持，确保在恶劣工业环境中仍能可靠运行。其低功耗特性在待机模式下尤为突出，有助于延长电池供电设备的续航时间。CMOS工艺的应用也使得芯片在抗干扰和热稳定性方面表现优异，适合多种应用场景。此外，该芯片采用标准的并行接口设计，兼容多种微控制器和嵌入式平台，方便系统集成和升级。
　　HM514402CZ8还支持多种工作模式，包括正常模式、待机模式和掉电模式，用户可根据系统需求灵活配置，以达到最佳的性能与功耗平衡。其数据保持功能在掉电模式下依然有效，确保关键数据不会丢失。这些特性使得HM514402CZ8成为许多嵌入式系统和工业控制设备的理想选择。

HM514402CZ8主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的电子设备中，例如：
　　? 工业控制系统
　　? 通信设备（如路由器、交换机）
　　? 嵌入式系统开发板
　　? 测试与测量仪器
　　? 医疗电子设备
　　? 便携式电子产品
　　? 存储扩展模块
　　? 计算机外设控制器

IS61C1024AHBLA8T、CY62148E、AS6C1008、HM514402CZ8P、HM514402CZ8T