容量：4Mbit
　　组织结构：1M x 4位
　　工作电压：5V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：SOJ
　　引脚数：32
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：≥ 2V
　　最大工作频率：14.28 MHz

HM514400CZ-70作为一款高性能DRAM芯片，具有多个显著的特性，适用于多种应用场景。首先，其采用CMOS工艺制造，能够在保证高速性能的同时降低功耗，这对于对功耗敏感的嵌入式系统尤为重要。其次，该芯片的访问时间为70ns，具有较快的数据读取速度，能够满足对响应时间要求较高的应用需求。此外，HM514400CZ-70的封装形式为32引脚SOJ，具有较小的封装体积，适合空间受限的设计。
　　该芯片的工作电压为5V，兼容标准的逻辑电平，简化了与外围电路的接口设计。同时，其支持64ms的刷新周期，在保证数据稳定存储的同时，降低了刷新操作对系统性能的影响。此外，HM514400CZ-70具有较宽的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），符合工业级温度标准，适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、自动化设备以及通信设备等。

HM514400CZ-70广泛应用于多个领域。在嵌入式系统中，该芯片常用于缓存存储器或主存储器，以提高系统的数据处理能力。在工业控制设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）和自动化仪表，HM514400CZ-70可作为高速数据存储单元，支持实时数据采集与处理。此外，在消费类电子产品中，如音频/视频设备、智能家电等，该芯片可用于存储临时数据或程序代码。
　　通信设备也是HM514400CZ-70的重要应用领域之一。例如，在路由器、交换机和无线基站等设备中，该芯片可用于缓存数据包或执行临时存储功能，以提高数据传输效率。此外，在测试与测量仪器中，如示波器和信号发生器，HM514400CZ-70可用于存储测试数据或配置信息。
　　由于其工业级温度范围和高可靠性，该芯片也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统和车载导航设备。在这些应用中，HM514400CZ-70能够提供稳定的存储支持，确保系统在各种环境条件下正常运行。

TC514400CZ-70, KM514400CZ-70, HY514400CZ-70