HM514400CS7 时间：2025/9/7 13:15:42 阅读：24

HM514400CS7是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，容量为16MB（兆位），采用4M x 4的组织结构。该芯片属于高速CMOS DRAM器件，广泛应用于需要中等容量存储的嵌入式系统、工业设备、消费电子产品以及老式计算机外围设备中。HM514400CS7采用标准的DRAM接口，支持异步操作，适用于多种存储扩展和数据缓存场景。

参数

容量：16 Mbit（4M x 4）
　　电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　访问时间：7 ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步DRAM
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　封装尺寸：标准TSOP尺寸
　　存储组织结构：4M x 4

特性

HM514400CS7采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗与高稳定性的特点。其异步DRAM接口设计使其能够兼容多种主控芯片和系统架构。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效延长数据保存时间，减少外部刷新电路的复杂度。此外，7ns的快速访问时间使其适用于对响应速度有一定要求的中高端嵌入式系统。
　　在可靠性方面，HM514400CS7采用工业级温度范围设计（-40°C 至 +85°C），可在较宽的环境温度下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和自动化系统等对稳定性和耐用性要求较高的应用场景。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和电气性能，适合高密度PCB布局。
　　此外，该芯片具有良好的兼容性，适用于多种DRAM控制器和内存管理系统，可作为许多旧款设备或需要中等容量内存扩展系统的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于工业控制系统、老式计算机外设、嵌入式设备、通信模块、视频监控设备以及需要中等容量高速缓存的电子设备中。例如，可用于数字信号处理器（DSP）的外部数据缓存、PLC控制器的临时数据存储、工业相机的图像缓冲等场景。由于其异步接口和较高速度特性，也适合用于一些需要短时数据暂存的智能仪表和数据采集系统。