HM514265CTT-6 是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于早期的DRAM产品系列之一。这款芯片的容量为4兆位(Mbit),采用常见的TSOP(Thin Small-Outline Package)封装形式,适用于需要较高存储密度和较快存取速度的系统设计。由于其较为稳定的性能和广泛的兼容性,该芯片在上世纪90年代至2000年代初期被广泛应用于个人计算机、工业控制系统以及嵌入式设备中。
容量:4 Mbit
组织方式:256K x 16
工作电压:5V
封装类型:TSOP
引脚数:54
最大访问时间:5.4 ns
刷新方式:自动刷新
数据输出类型:三态输出
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
HM514265CTT-6 芯片具有较低的功耗和较高的集成度,适用于多种嵌入式系统和工业设备。其TSOP封装形式有助于减少PCB板空间占用并提高高频操作下的稳定性。芯片支持自动刷新(Auto-refresh)功能,简化了系统设计并降低了功耗。其256K x 16的组织方式使其适合用于需要16位数据总线宽度的应用场景,例如图形处理、数据缓存和高速缓冲存储器设计。此外,该芯片具有三态输出功能,可有效隔离总线,防止数据冲突。
在性能方面,HM514265CTT-6 的最大访问时间为5.4 ns,能够在较高频率下运行,适用于早期的高速计算和数据处理系统。其5V供电设计兼容大多数当时的逻辑电路和控制器,简化了系统电源管理设计。尽管随着技术的发展,更高密度和更低功耗的DRAM芯片逐渐取代了此类产品,但在一些老旧系统维护和特定工业设备中,HM514265CTT-6 仍然具有一定的使用价值。
HM514265CTT-6 主要用于早期的个人计算机内存模块、工业控制设备、通信设备以及嵌入式系统。其256K x 16的组织结构使其适用于需要16位宽数据通道的应用,如视频显示缓存、高速数据缓冲、图形加速器等。此外,该芯片也被用于一些测试设备、测量仪器和老式网络设备中。由于其较高的稳定性和较长的供货周期,部分工业控制系统仍然采用该芯片进行产品维护和升级。在需要兼容老旧系统架构的场合,该DRAM芯片依然具有一定的应用价值。
TC51V416A-60CMB, MT48LC16M4A2B4-6A, KM416S1620CT-6