时间：2025/9/6 16:47:32
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HM514260DTT-6是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于高速DRAM系列，广泛应用于需要高速数据处理和临时数据存储的电子设备中。作为一款早期的DRAM产品，它在计算机系统、工业控制设备以及嵌入式系统中曾有广泛应用。尽管如今已被更先进的存储技术所取代，但HM514260DTT-6在特定老旧设备维护和替换场景中仍然具有重要价值。
容量：256K x 16位
电源电压：5V
访问时间：6ns
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
接口类型：并行接口
时钟频率：166MHz（等效于6ns访问时间）
HM514260DTT-6是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有以下显著特性：
该芯片采用高速CMOS工艺制造，支持6ns的访问时间，适用于需要快速数据存取的应用场景。其工作电压为5V，能够在工业级温度范围内（通常为-40°C至+85°C）稳定运行，适合工业和嵌入式设备使用。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），这种封装方式有助于节省PCB空间，并提升散热性能。此外，该芯片支持异步操作，无需精确的时钟同步，简化了电路设计。其并行接口设计支持16位数据宽度，能够提供较高的数据传输带宽，适用于需要高吞吐量的系统。HM514260DTT-6在设计上具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂电磁环境中可靠运行。
HM514260DTT-6主要用于需要高速数据缓冲和临时存储的应用场景，包括早期的个人计算机主板、工业控制系统、网络设备、通信设备以及嵌入式系统。它也常用于图像处理设备和视频控制器中，用于临时存储帧缓存数据。此外，该芯片还可用于老旧设备的维修和替换，确保设备的持续运行。
IS61LV25616-6T, CY62148EV30
