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HM514170CLJ8 发布时间 时间:2025/9/7 12:13:17 查看 阅读:13

HM514170CLJ8 是一款由 Hitachi(现为 Renesas Electronics)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该型号属于高速、低功耗的CMOS SRAM系列,广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的电子系统中。该芯片采用标准的封装形式,适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等应用场景。

参数

容量:16K x 4位
  电源电压:5V
  访问时间:8 ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:32引脚 PLCC
  输入/输出逻辑电平:TTL兼容
  最大工作频率:125 MHz

特性

HM514170CLJ8 是一款高性能的CMOS静态存储器芯片,专为高速数据存储应用设计。其主要特点包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片的访问时间为8 ns,支持在高频环境下稳定运行,适用于需要快速数据处理的系统。其低功耗特性使其在保持高性能的同时,减少了能源消耗,适合长时间运行的设备使用。
  这款芯片的16K x 4位存储结构提供了足够的存储空间,适合用于缓存、数据缓冲和高速存储应用。其TTL兼容的输入/输出接口使得它可以方便地与多种数字系统集成。此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于各种严苛的环境条件。
  在封装方面,HM514170CLJ8采用32引脚PLCC封装形式,这种封装不仅具有良好的机械稳定性,还便于安装和维护。PLCC封装也适用于表面贴装技术,提高了电路板布局的灵活性和可靠性。

应用

HM514170CLJ8 SRAM芯片适用于多种电子系统,如工业控制设备、通信模块、嵌入式系统以及测试仪器。其高速和低功耗特性使其成为需要快速数据访问和稳定性能的优选存储器芯片。此外,该芯片也可用于计算机外围设备、网络设备和数据采集系统中,以提供快速的数据存储和处理能力。

替代型号

CY62167VLL-85BZC, IDT71V416S85BQI, IS61LV25616A-85BQLI

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