类型：GaAs HEMT
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　频率范围：2 GHz - 6 GHz（典型值）
　　输出功率：28 dBm（典型值）
　　功率增益：18 dB（典型值）
　　线性增益：17 dB @ 2.4 GHz
　　漏极电流：120 mA @ Vds = 10V
　　漏极-源极电压（Vds）：10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　输入驻波比（VSWR）：< 2:1
　　输出驻波比（VSWR）：< 2:1

AT-41533-TR2G 是一款基于 GaAs 技术的高性能射频晶体管，适用于广泛的射频放大器应用。其核心特性包括在 2 GHz 到 6 GHz 频率范围内提供高增益和良好线性度的能力。这种晶体管在 2.4 GHz 下可提供高达 17 dB 的线性增益，非常适合用于无线通信系统、Wi-Fi、蜂窝基础设施等应用。此外，AT-41533-TR2G 的输出功率可达 28 dBm，具有较高的功率效率，同时其漏极电流为 120 mA，在 10V 漏极电压下运行，使其在高频率下仍能保持稳定性能。
　　该器件采用表面贴装封装（SMD），适合自动化装配，并且在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内保持稳定工作。输入和输出驻波比（VSWR）均低于 2:1，表明其良好的阻抗匹配能力，有助于减少信号反射，提高整体系统效率。这种晶体管还具有良好的抗失真性能，确保在高信号强度下仍能保持信号完整性。
　　AT-41533-TR2G 的设计考虑了高可靠性，能够在恶劣环境条件下运行，适用于军事、航空航天、工业控制和测试设备等高要求的应用场景。由于其 GaAs HEMT 结构，它在高频操作中具有较低的噪声系数和较高的功率附加效率（PAE），这使得它在低功耗和高性能之间实现了良好的平衡。

AT-41533-TR2G 主要用于射频和微波放大器电路中，适用于多种高频应用场合。它常用于无线通信基础设施，如 4G/5G 基站、Wi-Fi 接入点、无线局域网（WLAN）设备等。此外，该晶体管也广泛应用于雷达系统、测试和测量仪器、射频识别（RFID）设备以及工业控制系统。
　　在通信系统中，AT-41533-TR2G 可作为驱动放大器或中功率放大器使用，确保在高频下提供稳定的信号增强。在测试设备中，它可用于构建高频信号发生器或功率放大器模块，以满足实验室和现场测试的需求。由于其良好的线性性能和高可靠性，AT-41533-TR2G 也适用于军事和航空航天领域的射频系统，如战术通信设备和雷达前端模块。
　　此外，该器件在工业自动化和物联网（IoT）设备中也有应用，特别是在需要远距离无线通信和高数据速率传输的场景中。它的高稳定性使其适用于各种需要长时间连续运行的设备，确保系统在复杂电磁环境中仍能保持良好性能。

AT-41533-TR2G 的替代型号包括 ATF-54143、MGA-63160 和 CGH40025。这些器件在性能参数和应用场景上与 AT-41533-TR2G 相似，适用于高频射频放大器应用。