时间：2025/9/6 19:17:43
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HM514101BS8是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于早期的DRAM产品系列，主要用于计算机和电子设备中的数据存储和缓存功能。
容量：1Mb（128K x 8）
电源电压：5V
封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
引脚数：28引脚
工作温度范围：0°C至70°C
访问时间：55ns/70ns/100ns（根据具体后缀不同）
刷新方式：自动刷新
数据宽度：8位
HM514101BS8是一种高速CMOS动态随机存取存储器芯片，其设计旨在提供高效的数据存储解决方案。该芯片支持自动刷新功能，以确保数据在断电情况下不会丢失。其高速访问时间（可选55ns、70ns或100ns）使其适用于需要快速数据存取的应用场景。
该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗特性，适合在各种嵌入式系统和早期计算机系统中使用。此外，其28引脚SOJ封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，并减少空间占用，适用于紧凑型电子设备。
该DRAM芯片支持标准的异步接口，允许其与多种处理器和控制器无缝集成。其工作温度范围为0°C至70°C，适用于一般工业和商业环境中的应用。
HM514101BS8广泛应用于早期的个人计算机、工业控制系统、嵌入式设备以及需要高速数据缓存的电子设备中。其1MB的存储容量适用于中等规模的数据存储需求，常见于老式打印机、通信设备和自动化控制系统中。
HY514101B-BA55, HM514101BS7
