时间：2025/9/6 21:25:53
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HM5118165TT-7是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的16位静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高速CMOS技术，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要高性能存储系统的应用场合。该SRAM芯片广泛用于工业控制设备、通信设备、测试仪器及其他嵌入式系统中。
容量：256K x 16位
组织结构：256K地址，每个地址16位数据
电源电压：3.3V或5V兼容（根据具体版本）
访问时间（tRC）：7ns（最大）
读取时间（tAA）：7ns
写入时间（tWC）：7ns
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装引脚数：54引脚
数据保持电压：最小1.5V
最大工作电流：根据频率变化，典型值约120mA
HM5118165TT-7 SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具有较高的稳定性和可靠性。其高速访问时间为7ns，能够满足高速缓存和实时系统的需求。芯片支持3.3V或5V供电，兼容性强，方便在不同系统中使用。其低功耗设计在高频操作下仍能保持较低的能耗，适合对功耗敏感的应用场景。此外，该芯片具备数据保持功能，在低电压状态下仍可保持存储内容，适用于需要断电保持数据的系统。TSOP封装形式使得芯片体积小巧，适合高密度PCB布局。
HM5118165TT-7 SRAM芯片常用于高性能嵌入式系统、工业控制器、网络设备、路由器、打印机、测试测量仪器以及需要高速缓存或临时数据存储的设备中。其高速访问和低功耗特性使其在需要快速响应和稳定存储的场合具有显著优势。
CY7C1041CV33-7ZSXC
IS61LV25616-7TFI
