容量：256Kbit
　　组织方式：16K x 16
　　电源电压：5V
　　访问时间：5.4ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：52引脚 TSOP
　　最大工作频率：166MHz
　　数据保持电压：2V
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　功耗：典型值为150mA（待机模式下为10mA）

HM5118165BJ-6 SRAM芯片的一个显著特性是其高速访问时间，仅为5.4ns，这使得它能够在高频系统中提供快速的数据读写能力。此外，该芯片支持TTL电平输入/输出，能够与多种数字电路兼容，简化了系统设计。
　　在功耗方面，HM5118165BJ-6 在正常工作模式下的电流消耗为150mA，而在待机模式下可降低至10mA，有助于降低系统整体功耗，适用于对能效有要求的应用场景。
　　该芯片采用52引脚TSOP封装，具有较小的封装体积，适合高密度PCB布局。同时，其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了在工业级环境下的稳定运行。
　　此外，HM5118165BJ-6 支持异步操作，无需时钟信号即可进行数据读写，提高了使用的灵活性。它还具备数据保持功能，在电源电压下降至2V时仍能保持存储数据不丢失，增强了系统的可靠性。

HM5118165BJ-6 SRAM芯片广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的系统中，如网络路由器、交换机、工业控制设备、测试测量仪器以及嵌入式系统中的缓冲存储器。由于其高速和低功耗特性，也常用于便携式设备中的高速缓存，如打印机缓存、图像处理设备和通信模块等。

CY7C199-15VC、IS61LV25616-10T、IDT71V416S10PF、AS7C256A-10TC、CY7C1041CV33-10ZSXI