时间：2025/9/6 23:06:44
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HM5118160ALTT7是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于高速DRAM类别，通常用于需要高速数据访问的电子设备和系统中。作为早期的DRAM产品之一，HM5118160ALTT7在计算机内存、工业控制系统以及其他需要高速存储的应用中发挥了重要作用。
容量：1M x 16
电压：5V
封装：TSOP
时钟频率：10ns
数据宽度：16位
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
HM5118160ALTT7是一款采用TSOP（薄型小外形封装）技术的DRAM芯片，其容量为1M x 16位，工作电压为标准5V，适用于需要稳定性和高速存储的工业和消费类电子设备。
该芯片的存取时间为10ns，能够提供快速的数据读写能力，满足早期计算机和工业控制器对内存速度的要求。其16位的数据宽度设计使其在处理大量数据时具有更高的效率。
此外，HM5118160ALTT7具备低功耗特性，在保持高性能的同时，能够有效降低能耗，延长设备使用时间。其封装形式为TSOP，体积小巧，便于集成在各种电路板上，并具备良好的散热性能。
该芯片的工作温度范围较宽，适用于-40°C至+85°C的工业级环境，确保其在恶劣环境下仍能稳定运行，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用场合。
HM5118160ALTT7广泛应用于早期的计算机主板、图形加速卡、嵌入式系统、工业自动化设备、通信模块以及其他需要高速、低功耗DRAM存储的电子设备中。由于其稳定性和可靠性，该芯片也常用于长期运行的工业控制系统和网络设备中。
IS42S16100B-6T, CY7C1009AV33-10ZS, AS4C1M16A23BCB4-6B
