时间：2025/9/7 5:26:09
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HM5117800LTT-6是一款由Hynix（现为SK Hynix）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片属于高速DRAM产品系列，广泛用于需要大容量存储和快速数据访问的电子设备中，例如计算机系统、工业控制设备、通信设备等。其主要特点是高存储密度、低功耗以及良好的稳定性，适合于需要高效数据处理的应用场景。
容量：1M x 8
组织方式：8MB (1M地址 x 8位)
工作电压：5V
存取时间：6ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持时间：16ms
接口类型：异步DRAM接口
HM5117800LTT-6是一款高性能的DRAM芯片，采用了先进的CMOS技术，具备较低的功耗和较高的稳定性。其高速存取时间为6ns，能够满足高速数据传输的需求。该芯片的1M x 8架构使其适用于需要较大存储容量但又不需要过高数据宽度的应用场景。TSOP封装形式使其适合用于高密度PCB设计，同时具有良好的散热性能。此外，HM5117800LTT-6支持工业级温度范围，确保在各种环境条件下都能稳定运行。
该芯片的数据保持时间为16ms，这意味着它需要定期刷新以保持数据完整性，适用于需要持续刷新操作的系统设计。其异步接口设计使得与主控芯片的连接更加灵活，适合多种系统架构。由于其高性能和稳定性，HM5117800LTT-6被广泛应用于嵌入式系统、网络设备、图像处理设备及其他需要高速存储的场合。
HM5117800LTT-6常用于需要高速存储访问的电子设备中，如工业计算机、路由器、交换机、视频监控设备、医疗成像设备以及高性能嵌入式系统。其高速存取能力和稳定的性能使其成为许多工业和通信应用中的理想选择。此外，该芯片也可用于需要大量数据缓存的场景，例如图像处理模块和数据采集系统。
HY57V641620BTP-6B
