HM5116400TS-6是一款由HITACHI(现为Renesas)生产的16MB(1MB x16)静态随机存取存储器(SRAM),采用高速CMOS技术制造。该器件专为高性能系统设计,提供低功耗和高速访问能力,适用于需要快速数据存取的场景,如通信设备、工业控制、嵌入式系统等。TS-6后缀表示其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),并具有60ns的访问时间。
容量:16MB(1MB x 16)
访问时间:60ns
电源电压:3.3V或5V兼容
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
数据宽度:16位
接口类型:异步SRAM接口
最大工作频率:约16MHz(由访问时间决定)
功耗:典型值1.5W(待机模式下更低)
控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
HM5116400TS-6 SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备高速和低功耗的双重优势。其60ns的访问时间能够满足大多数中高速系统的需求,同时支持异步操作,简化了系统设计的复杂度。该芯片支持两种电源电压(3.3V和5V)输入,提高了兼容性,能够适应不同平台的设计需求。此外,其TSOP封装形式不仅节省空间,还增强了散热性能,适合高密度PCB布局。
该器件具备标准的异步SRAM接口,包括地址线(A0-A20)、数据线(DQ0-DQ15)、控制信号(CE、OE、WE)等,便于与各种微处理器、FPGA或ASIC连接。HM5116400TS-6的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级应用要求,确保在恶劣环境下的稳定运行。其低待机电流特性也使其适用于对功耗敏感的应用场景。
HM5116400TS-6广泛应用于需要高速数据存储与访问的工业控制系统、网络通信设备、测试仪器、图像处理模块、嵌入式系统以及老式工作站或服务器的缓存设计。此外,它也适用于需要高可靠性和宽温范围运行的航空航天与汽车电子系统。
ISSI IS61LV102416ALB-6T, Cypress CY7C1041CV33-6ZSXC, Renesas IDT71V416SA-6P