时间：2025/9/6 18:56:42
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HM5116400AS-6T 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的16兆位（16M）动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款DRAM芯片采用了常见的异步设计，适用于多种需要大容量存储器的电子设备。其封装形式通常为TSOP（薄型小外形封装），适合嵌入到各种电子系统中。HM5116400AS-6T的存取时间较短，适合对性能有一定要求的应用场景，如工业控制、通信设备和老式计算机系统等。
容量：16Mbit
组织方式：1M x 16
工作电压：5V
访问时间：5.4ns（典型值）
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：2V
刷新周期：64ms
HM5116400AS-6T是一款高性能的DRAM芯片，具有较高的存储密度和较快的访问速度。其异步设计使其能够适应多种系统架构，无需复杂的时钟同步机制即可工作。该芯片支持常见的DRAM操作模式，如读取、写入和刷新，确保数据的可靠性和稳定性。此外，HM5116400AS-6T具备较低的功耗特性，在待机模式下消耗的电流较小，有助于提高系统的能效。
该芯片的制造工艺成熟，具有较高的可靠性和稳定性，适合长期运行的工业设备和嵌入式系统。由于其16Mbit的存储容量，它在一些需要中等存储容量的系统中表现出色，例如通信设备、工控系统以及某些老式个人计算机或工作站。此外，该芯片的封装设计紧凑，适合在空间受限的应用中使用。
HM5116400AS-6T主要应用于需要中等容量DRAM存储器的电子设备，如工业控制系统、通信设备、网络路由器、交换机以及一些老式计算机系统。由于其较高的可靠性和稳定性，该芯片也常用于嵌入式系统和需要长期运行的设备中。此外，一些需要扩展内存容量的电子设备也可能采用HM5116400AS-6T作为主存储器或缓存存储器。
HM5116400AS-6T的替代型号包括：HM5116400BPS-6T、HM5116400BPS-7T、MT48LC16M16A2B4-6A
