时间：2025/5/23 0:02:57
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K4T1G164QE-HCE6 是由三星（Samsung）生产的一款 DDR4 内存颗粒芯片。该芯片主要用于计算机内存条、服务器以及各种需要高性能数据处理的电子设备中。DDR4 相较于之前的 DDR3，具有更高的数据传输速率和更低的工作电压，从而提高了效率并降低了功耗。
该型号属于高密度存储芯片，能够满足现代计算设备对大容量和高速度内存的需求。
类型：DRAM
接口：DDR4
容量：1Gb (128Mb x 8)
工作电压：1.2V
封装形式：BGA
数据速率：3200 MT/s
I/O 引脚数：78
工作温度：-40°C to +85°C
K4T1G164QE-HCE6 具备以下显著特性：
1. 高速性能：支持高达 3200MT/s 的数据传输速率，能够显著提升系统的整体运行速度。
2. 节能设计：采用 1.2V 工作电压，相比 DDR3 的 1.5V 更加节能。
3. 稳定性：经过严格的质量控制和测试，确保在各种应用场景下具备出色的稳定性和可靠性。
4. 小型化封装：使用 BGA 封装技术，有助于减小 PCB 占用空间，适合紧凑型设计。
5. 广泛兼容：适用于多种平台和架构，包括台式机、笔记本电脑和服务器等。
K4T1G164QE-HCE6 主要应用于以下领域：
1. 计算机内存条：广泛用于台式机和笔记本电脑的 DDR4 内存模块中。
2. 服务器和数据中心：为服务器提供大容量、高性能的内存支持。
3. 工业设备：应用于工业自动化系统、医疗设备以及其他对内存性能要求较高的场景。
4. 嵌入式系统：适用于需要高效数据处理能力的嵌入式解决方案。
5. 游戏硬件：支持高性能的游戏主机和显卡内存需求。
K4T1G164QF-HCJ6
K4T1G164QD-HCC6
K4T1G164QC-HCD6
