时间：2025/9/7 14:20:05
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HM5116100S6 是一款由 Hitachi（日立）公司制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高速CMOS技术，适用于需要快速数据访问的应用场景。HM5116100S6 是16k x 10位的SRAM芯片，广泛应用于通信设备、工业控制系统和数据存储设备中。
容量：16k x 10位
电源电压：5V
访问时间：100ns
封装类型：48引脚TSOP
工作温度范围：0°C至70°C
接口类型：并行
组织方式：16K地址空间，10位数据输出
最大工作频率：约10MHz
功耗：典型值为200mA
HM5116100S6 是一款高性能静态随机存取存储器芯片，采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问能力。其存储容量为16k x 10位，即总共有16384个地址，每个地址可存储10位数据，这使得它特别适用于需要较大容量数据存储的应用。该芯片的访问时间仅为100ns，能够满足高速数据读写的需求。
该SRAM芯片的封装形式为48引脚TSOP（薄型小外形封装），适用于紧凑型电路板设计，并具备良好的散热性能。其工作电压为5V，符合标准逻辑电平，方便与其他数字电路接口。在工作温度范围上，该器件支持0°C至70°C，适合在常规工业环境下运行。
此外，HM5116100S6 在设计上采用了高度集成的CMOS技术，使其在保持高速性能的同时，降低了静态和动态功耗，提高了系统的能效。它的并行接口结构支持快速的数据传输，适用于缓冲存储器、数据缓存、网络设备和嵌入式系统等应用领域。
HM5116100S6 主要用于需要高速数据存取的场合，如网络交换设备、路由器、数据采集系统、工业控制设备、通信模块、图像处理系统以及嵌入式设备中的临时数据存储单元。此外，它也适用于各种需要快速响应的计算机外围设备和测量仪器。
CY62167VLL-45ZSXC, IDT71V124SA90B, IS61LV1024100BLL
