HM5116100AS6 时间：2025/9/7 2:05:28 阅读：34

HM5116100AS6 是一款由Hynix（现代半导体）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为16K x 1，工作电压为5V，采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据存取的应用场合。该芯片通常用于嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备中。

参数

容量：16K x 1位
　　电压：5V
　　访问时间：100ns
　　封装：28引脚 SOIC
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　引脚数量：28
　　接口类型：并行
　　时钟频率：无内部时钟

特性

HM5116100AS6 是一款高速SRAM芯片，具有低功耗和高速访问能力，访问时间仅为100ns，适合用于缓存或需要快速数据存取的场合。该芯片采用CMOS技术，具有较高的噪声抑制能力，确保数据稳定可靠。其28引脚SOIC封装形式适合表面贴装工艺，便于在PCB上安装和使用。此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种严苛环境下的应用。其16K x 1的存储结构使其在数据存储效率和地址空间管理上具有较好的平衡性，常用于嵌入式系统中的临时数据存储或缓冲器设计。
　　在电气特性方面，HM5116100AS6 的工作电压为标准5V，输入/输出电平兼容TTL，使其能够方便地与其他数字电路连接。其读写操作通过地址线、数据线和控制信号线（如片选CS、写使能WE）实现，操作逻辑清晰且易于集成到现有系统中。该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于高可靠性要求的工业和通信设备。