时间：2025/6/19 1:39:38
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HM50N06K是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于高效能的电源管理解决方案。其设计使得它在高频率操作中表现出优异的性能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：13A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：15nC
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了较低的传导损耗。
2. 快速开关特性支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力增强了器件的可靠性。
4. 小型封装设计节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 提供卓越的热稳定性和电气性能。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电机驱动控制电路。
4. 电池保护和负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理。
6. 消费类电子产品的电源管理系统。
7. 便携式设备中的充电管理电路。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5500
AO3400
