时间：2025/4/29 15:43:31
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HM40N04D是一款由HOLitech生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种功率转换和开关应用。其封装形式通常为TO-252（DPAK），能够承受较高的电压和电流，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：65mΩ
总功耗：1.15W
工作温度范围：-55℃至175℃
HM40N04D采用了先进的工艺制造技术，具备以下显著特性：
1. 低导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
2. 高开关速度，适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
4. 小型化封装设计，便于PCB布局和节省空间。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 具备出色的电气性能，可满足多种功率管理需求。
该MOSFET适用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池保护及负载开关。
5. 各类工业控制系统中的功率调节模块。
6. 通信设备中的信号切换和功率处理部分。
IRLZ44N, FDN340P, AO3400A
