HM30N10D 时间：2025/7/2 15:28:21 阅读：6

HM30N10D是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的应用中。该器件采用TO-220封装形式，具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。
　　HM30N10D的设计目标是为高电压和高功率应用提供可靠的解决方案，其工作电压范围可满足大多数工业及消费类电子设备的需求。同时，由于其良好的热性能和电气特性，该器件在各种恶劣环境下也能保持稳定运行。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻：0.025Ω
　　栅极电荷：80nC
　　开关速度：快速
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

1. HM30N10D具有较低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低功率损耗，提升整体效率。
　　2. 该器件的栅极电荷较小，有助于实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。
　　3. TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要较高功率密度的场景。
　　4. 工作温度范围宽广，能够在极端环境条件下可靠运行。
　　5. 高额定电流和电压能力使其适合多种高功率应用，如电机控制、逆变器等。
　　6. 具备出色的抗静电能力，提高了产品在制造和使用过程中的可靠性。