HM120N04K 时间：2025/7/12 18:36:58 阅读：9

HM120N04K是一款基于IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术的功率半导体器件，主要用于高频、高效和高功率应用场合。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具有低导通损耗和开关损耗的特点，适合于工业变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等电力电子设备中的开关操作。
　　该芯片内部集成了快速恢复二极管（FRED），可以显著提高电路效率并减少电磁干扰（EMI）。同时，它还具备短路保护和热关断功能，以确保在异常情况下设备的安全运行。

参数

额定电压：600V
　　额定电流：120A
　　集电极-发射极饱和电压：1.7V
　　门极阈值电压：4.5V
　　开关频率：20kHz
　　最大工作结温：150℃
　　存储温度范围：-55℃ 至 150℃

特性

1. HM120N04K采用了先进的IGBT制造工艺，使其具有更低的导通压降，从而效率。
　　2. 内置快速恢复二极管优化了反向恢复时间，有助于降低开关损耗，并改善系统的动态性能。
　　3. 具有良好的短路耐量能力，在发生短路故障时能够承受较长时间而不损坏。
　　4. 热阻较低，散热性能优异，允许模块在较高环境温度下稳定工作。
　　5. 提供完善的保护机制，包括过温保护和过流保护，提高了系统的可靠性和安全性。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 工业变频器和伺服驱动系统中作为主功率开关元件。
　　2. 不间断电源（UPS）以及应急备用电源系统中的开关组件。
　　3. 太阳能光伏逆变器和风力发电逆变器中用于能量转换与管理。
　　4. 电动汽车充电桩及车载充电器的核心功率控制单元。
　　5. 高效开关电源和电机控制器的设计实现。