时间：2025/9/16 7:25:13
阅读：8
HLMT-QL00 是一款由 Broadcom（安华高）生产的高性能 GaAs（砷化镓）单刀双掷（SPDT）射频开关芯片，广泛用于无线通信系统、射频前端模块、测试设备以及其他需要射频信号切换的应用中。该器件采用先进的 GaAs MMIC 技术制造，具有低插入损耗、高隔离度和快速切换速度等优点，适用于 50 MHz 至 6 GHz 的宽频率范围。HLMT-QL00 采用紧凑的 10 引脚 QFN 封装，便于在现代射频电路中集成。
工作频率：50 MHz - 6 GHz
插入损耗：典型值 0.4 dB @ 2.5 GHz
隔离度：典型值 35 dB @ 2.5 GHz
切换时间：＜100 ns
控制电压：正电压控制（2.5V - 5V）
封装类型：10 引脚 QFN
HLMT-QL00 是一款基于 GaAs MMIC 技术的高性能射频开关芯片，具备出色的射频性能和稳定性。其工作频率范围覆盖从 50 MHz 到 6 GHz，适用于多种无线通信标准，如 GSM、WCDMA、LTE、Wi-Fi、蓝牙以及 5G 部分频段。该芯片的插入损耗非常低，典型值在 2.5 GHz 下仅为 0.4 dB，从而减少了信号路径中的功率损失，提升了系统的整体效率。隔离度方面，HLMT-QL00 在 2.5 GHz 下可达到 35 dB 的典型值，确保了不同路径之间的信号干扰最小化，提高了系统信噪比。
该器件采用正电压控制方式，控制电压范围为 2.5V 至 5V，兼容常见的数字控制接口，如 CMOS 和 TTL 电平。切换时间小于 100 ns，满足高速射频信号切换的需求，适用于需要动态调整射频路径的应用场景，如多频段切换、天线调谐和射频测试设备。HLMT-QL00 采用 10 引脚 QFN 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装还具有良好的热稳定性和高频性能，有助于在高频应用中维持稳定的电气特性。此外，该芯片无需外部直流偏置电感或电容，简化了外围电路设计，降低了整体成本。由于其优异的电气性能和灵活的控制方式，HLMT-QL00 被广泛应用于通信基础设施、工业控制、测试测量设备以及消费类射频产品中。
HLMT-QL00 主要用于各类射频通信系统中，包括但不限于基站射频前端、多频段手机天线调谐、无线测试设备、WiFi 6E 和 5G NR 射频路由、雷达和导航系统、以及射频自动测试设备（ATE）。该器件的宽频带特性使其适用于多种通信标准，是射频信号路径中不可或缺的关键组件。
HMC649LC4B, PE42642, SKY13350-345LF
