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HL3NV04D 发布时间 时间:2025/7/22 16:34:16 查看 阅读:5

HL3NV04D 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的低电压 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高可靠性,适用于各种高性能功率管理应用。该器件广泛用于汽车电子、工业自动化、电源转换器和负载开关等场景。HL3NV04D 采用小型化的封装设计,有助于节省电路板空间,同时在高电流负载下保持良好的热性能。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):40V
  连续漏极电流(ID):100mA(最大值)
  导通电阻(RDS(on)):最大 3.5Ω(在 VGS=2.5V 时)
  栅极阈值电压(VGS(th)):0.8V ~ 2.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-723(小型表面贴装封装)

特性

HL3NV04D 是一款专为低功耗和高效能应用设计的功率 MOSFET,其核心特性包括极低的导通电阻,在 VGS=2.5V 时 RDS(on) 最大仅为 3.5Ω,从而降低了导通损耗,提高了能效。该器件的栅极驱动电压范围宽广,可在 1.8V 至 5.5V 的电压下工作,适用于各种低压微控制器和数字电路的直接控制。
  此外,HL3NV04D 采用小型 SOT-723 封装,体积小巧,非常适合空间受限的设计。该器件具有良好的热稳定性,并通过了 AEC-Q101 汽车级认证,确保其在严苛环境下的稳定运行。
  内置的 ESD 保护结构提高了器件的可靠性,减少了在生产、运输和使用过程中因静电放电造成的损坏风险。其低漏电流和高开关速度特性使其适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动和 LED 照明控制。

应用

HL3NV04D 主要应用于汽车电子系统,如车身控制模块、电动门锁和照明系统;工业自动化设备中的负载开关和小型电机控制;以及便携式消费电子产品中的电池管理系统和电源切换电路。此外,该器件也常用于低功耗物联网设备、智能传感器和智能家居控制器等场景。

替代型号

2N7002K, 2N7002DW, BSS138

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