HL3NV04D 时间：2025/7/22 16:34:16 阅读：4

HL3NV04D 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的低电压 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于各种高性能功率管理应用。该器件广泛用于汽车电子、工业自动化、电源转换器和负载开关等场景。HL3NV04D 采用小型化的封装设计，有助于节省电路板空间，同时在高电流负载下保持良好的热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　连续漏极电流（ID）：100mA（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 3.5Ω（在 VGS=2.5V 时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：0.8V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-723（小型表面贴装封装）

特性

HL3NV04D 是一款专为低功耗和高效能应用设计的功率 MOSFET，其核心特性包括极低的导通电阻，在 VGS=2.5V 时 RDS(on) 最大仅为 3.5Ω，从而降低了导通损耗，提高了能效。该器件的栅极驱动电压范围宽广，可在 1.8V 至 5.5V 的电压下工作，适用于各种低压微控制器和数字电路的直接控制。
　　此外，HL3NV04D 采用小型 SOT-723 封装，体积小巧，非常适合空间受限的设计。该器件具有良好的热稳定性，并通过了 AEC-Q101 汽车级认证，确保其在严苛环境下的稳定运行。
　　内置的 ESD 保护结构提高了器件的可靠性，减少了在生产、运输和使用过程中因静电放电造成的损坏风险。其低漏电流和高开关速度特性使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和 LED 照明控制。