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STR-F6626 发布时间 时间:2025/3/27 11:07:45 查看 阅读:7

STR-F6626是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用N沟道增强型技术,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  STR-F6626通过优化设计,具备出色的热特性和电气特性,适用于需要高效能和稳定性的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  输入电容:1050pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
  2. 高电流处理能力,支持高达26A的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  4. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
  5. 小型封装选项,节省电路板空间。
  6. 提供优异的ESD保护性能,增强器件的抗干扰能力。

应用

1. 开关电源及适配器设计。
  2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP20NF06
  FDP5800

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