时间：2025/3/27 11:07:45
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STR-F6626是一款高性能的功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提升系统性能。
STR-F6626通过优化设计，具备出色的热特性和电气特性，适用于需要高效能和稳定性的应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：26A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：38nC
输入电容：1050pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达26A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 小型封装选项，节省电路板空间。
6. 提供优异的ESD保护性能，增强器件的抗干扰能力。
1. 开关电源及适配器设计。
2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP20NF06
FDP5800
