时间：2025/8/29 17:14:27
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HIR26-21B/L423/CT(FTK) 是一款由 EVERLIGHT（亿光电子）生产的红外发射二极管（Infrared Emitting Diode, IRED），广泛用于需要红外光源的应用场景，如遥控器、光耦合器、安全系统、工业控制和检测设备等。该器件采用高效率的砷化镓（GaAs）材料制成，发射波长约为 870nm 至 940nm，属于近红外波段，适用于多种光电探测器的响应范围。HIR26-21B/L423/CT(FTK) 具有高辐射强度、低功耗、响应速度快等优点，适合在多种电子系统中使用。
类型：红外发射二极管（IRED）
波长范围：870nm ~ 940nm
正向电压（VF）：1.2V ~ 1.8V
正向电流（IF）：100mA
反向电压（VR）：5V
功率耗散（PD）：150mW
峰值发射波长（λp）：940nm
辐射强度（IE）：60 mW/sr（典型值）
封装形式：T-1（3mm）透明环氧树脂封装
工作温度范围：-40°C ~ +100°C
HIR26-21B/L423/CT(FTK) 是一款高性能的红外发射二极管，具备优异的光学特性和稳定的电气性能。其主要特点之一是高辐射强度，典型值为 60 mW/sr，这使得该器件能够在较远距离下仍然保持良好的信号强度，适用于遥控、光通信等对距离敏感的应用。此外，该器件采用了 GaAs（砷化镓）材料，确保了发射光谱在近红外区域（940nm 附近）具有较高的穿透能力和检测灵敏度，适用于多种光电接收器的响应范围。
该红外发射二极管的封装形式为 T-1（3mm），采用透明环氧树脂封装，具有良好的机械强度和环境适应性，能够在-40°C 至 +100°C 的温度范围内稳定工作，适合工业级应用。其正向电压为 1.2V 至 1.8V，正向电流最大可达 100mA，功耗较低，适合电池供电系统使用。同时，其响应速度快，适用于脉冲调制（PWM）控制，提高了在复杂电磁环境下的抗干扰能力。
由于其紧凑的封装设计和良好的光学性能，HIR26-21B/L423/CT(FTK) 广泛应用于家电遥控器、红外数据通信、安防系统、自动门控、光电传感器和工业自动化控制等领域。在实际使用中，建议配合合适的限流电阻以确保长期稳定运行，并避免超过最大额定电流和功率。
HIR26-21B/L423/CT(FTK) 主要用于红外遥控、红外通信、光电传感器、工业自动化控制、安防系统、自动门控装置、家电设备中的红外发射模块等场景。该器件也常用于光耦合隔离电路中，作为发射端的光源，实现电信号到光信号的转换。
HIR26-21B/L423/CT, IR1M-H94A, IR2M-H94A, L-934ALC, TSAL6100
