时间：2025/8/29 18:32:20
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HIR11-21C/L11/TR8 是一款由TT Electronics公司生产的高性能红外发射器（红外LED），广泛用于光耦合器、光电传感器、工业控制、消费电子以及各种光通信系统中。该器件采用高效率的砷化镓（GaAs）材料制造，能够发射近红外光，通常中心波长在870nm至950nm之间，适合多种光电探测器的响应波长范围。HIR11-21C/L11/TR8采用表面贴装（SMT）封装形式，便于自动化装配和节省电路板空间。
类型：红外LED
波长范围：870nm - 950nm（典型值约940nm）
正向电压（VF）：1.2V 至 1.8V（典型值1.5V）
正向电流（IF）：最大100mA
反向电压（VR）：最大5V
功耗（PD）：150mW
工作温度范围：-55°C 至 +100°C
存储温度范围：-55°C 至 +100°C
封装类型：表面贴装（SMT），4-Pin
视角：约 ±30°
HIR11-21C/L11/TR8 是一款高性能红外发光二极管，具备高发射效率和稳定的光输出特性。该器件采用GaAs（砷化镓）材料制造，具有良好的光谱匹配性，能够与多种光电探测器（如硅光电二极管）配合使用，实现高效的光电转换。其发射波长通常在940nm左右，适用于遥控、光电开关、障碍物检测等应用场景。
该红外LED具有低正向电压降（通常在1.5V左右），可在较低电压下工作，适合低功耗设计。最大正向电流可达100mA，支持较强的光输出能力，同时具备良好的热稳定性，确保在不同环境温度下仍能保持稳定性能。
HIR11-21C/L11/TR8采用4引脚表面贴装封装（SMT），便于在自动化生产线上使用，节省PCB空间，并提供良好的机械稳定性和焊接可靠性。该封装还具备一定的防反射设计，有助于提高光输出效率。
此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+100°C，适应各种工业和消费类应用环境，具有较长的使用寿命和良好的可靠性。其反向电压耐受能力为5V，防止因反向电流导致损坏，提高系统稳定性。
HIR11-21C/L11/TR8 常用于光耦合器、红外遥控器、光电传感器、自动门控制、安全系统、工业自动化设备、医疗仪器以及消费电子产品中的红外发射部分。其高稳定性和低功耗特性使其在电池供电设备中也表现出色。
Vishay TSAL6200, Everlight IR-333C/H1/TB, OSRAM SFH 4150, Lite-On LIT-3222A
