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GA1812A680GXCAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 14:47:24 查看 阅读:8

GA1812A680GXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频率工作条件下提供高效的性能表现。
  该芯片属于N沟道增强型场效应晶体管,其封装形式为TO-220,适合于大功率场合下的应用。同时,它具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,能够适应较为苛刻的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:5mΩ(典型值)
  栅极电荷:70nC(典型值)
  开关时间:开启延迟时间10ns,上升时间15ns,关断延迟时间20ns,下降时间25ns
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

GA1812A680GXCAR31G的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频工作的应用场景。
  3. 高电流处理能力,支持高达40A的连续漏极电流输出。
  4. 较小的栅极电荷,降低了驱动电路的复杂性和功耗。
  5. 强大的散热设计,能够有效降低工作温度,延长使用寿命。
  6. 可靠性高,适用于各种工业级和汽车级应用环境。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),用于高效能量转换。
  2. DC-DC转换器,实现电压调节和稳压功能。
  3. 电机驱动电路,控制电机的启动、停止和调速。
  4. 汽车电子系统,如车载充电器和电动助力转向系统。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  6. UPS不间断电源和逆变器系统中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L

GA1812A680GXCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容68 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-