HIP6311ACB是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的高性能半桥栅极驱动器,主要用于驱动MOSFET或IGBT功率开关。该芯片具有高侧和低侧输出通道,支持宽电压范围,并且内置了自举二极管,简化了电路设计。
该驱动器适用于需要高效、可靠功率转换的应用场合,例如离线式电源适配器、消费类电子设备中的电源管理、工业电机控制等场景。其快速的开通关断时间以及完善的保护机制使得它在各类功率转换应用中表现优异。
工作电压:4.5V~28V
高侧浮动能力:600V
输出驱动电流:±4A峰值
传播延迟:50ns典型值
工作温度范围:-40℃~125℃
封装形式:SOIC-8
HIP6311ACB具备强大的驱动能力,能够提供高达±4A的峰值输出电流,从而有效驱动大功率MOSFET或IGBT。同时,该芯片的高侧驱动通道采用电平移位技术,支持浮动操作,最高耐压可达600V,非常适合高压环境下的应用。
此外,HIP6311ACB内置自举二极管,减少了外部元件数量,降低了系统复杂度和成本。芯片还提供了短路保护、欠压锁定(UVLO)等多种保护功能,提高了系统的稳定性和可靠性。
它的传播延迟非常短,仅为50ns典型值,有助于实现精确的时序控制并降低开关损耗。另外,该器件的工作温度范围宽广,能够在-40℃到+125℃的环境下正常运行,适应各种恶劣的工作条件。
HIP6311ACB广泛应用于多种功率转换领域,包括但不限于:
1. 离线式开关电源(SMPS)
2. 电池充电器
3. LED照明驱动
4. 消费类电子产品的电源适配器
5. 工业自动化中的电机控制
6. 太阳能逆变器辅助电源
由于其高效的性能和可靠的保护机制,这款驱动器特别适合要求高效率和小尺寸解决方案的应用场合。
HIP6311ABT2G