时间：2025/12/23 10:12:49
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PESD5V0V2BM 是一款基于硅技术的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，设计用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有低电容特性，非常适合高速数据线路和高频应用。其紧凑的外形和出色的电气性能使其成为消费电子、通信设备和工业应用的理想选择。
该型号属于 NXP 的 PESD 系列，提供高能效的 ESD 保护，并符合 IEC61000-4-2 国际标准，确保在各种环境条件下都能提供可靠的保护。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±14A
钳位电压：7.3V
结电容：1.8pF
反向漏电流：1μA（最大值）
响应时间：1ns
封装类型：DFN1006-2
PESD5V0V2BM 提供以下显著特性：
1. 双向保护功能，适用于差分信号线。
2. 极低的结电容 (1.8pF)，适合高速数据接口。
3. 快速响应时间 (1ns)，能够及时抑制瞬态电压尖峰。
4. 符合 IEC61000-4-2 标准，接触放电 ±8kV 和空气放电 ±15kV。
5. 小型 DFN1006-2 封装，节省 PCB 空间。
6. 工作温度范围广 (-55°C 至 +150°C)，适应恶劣环境。
7. 无铅且符合 RoHS 标准，满足环保要求。
PESD5V0V2BM 广泛应用于需要高效 ESD 保护的场景，包括：
1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
2. HDMI、DisplayPort 和其他高速接口的保护。
3. 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的射频和音频线路保护。
4. 工业自动化设备中的信号线路保护。
5. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
6. 无线通信模块（如蓝牙和 Wi-Fi）的天线端口保护。
PESD5V0UA2BM, PESD5V0UT2BM
